室进行流片实验了。

    有了自己的实验室以后，从越目前在研发一种新的封装技术，TSV技术。从越从存储芯片组借了十几个研发人员，另外还聘请了几个微电子电镀方面的专家，帮助他一起进行这项技术的研发。

    TSV技术它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通；TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充，实现硅通孔的垂直电气互联。

    它是3D堆叠封装的关键技术，这在这个时期，是一个妥妥的黑科技。如果这项技术研发成功，那么存储技术将向前跨越一大步，直接就可以淘汰现在的机械硬盘，并且直接将存储容量增加到以G为单位，将使未来的固态硬盘提前面世，当然这也需要更加精密的光刻机。依照现在最好的光刻机，加工出来的成品体积将会比较大，但是用在大型机或者小型机中是一点问题没有。

    科学家发现当晶体管在同一面积内的数量达到时，晶体管数量无法再增加了。为此早在1969年IBM就提出了堆叠技术的概念，但限于设备的原因，这个技术一直没有实现。

    但是如果从越在这个时期将TSV技术研发出来，那么芯片堆叠技术将得以实现，这将是IC发展史上可以载入史册的功绩。

    TSV其实就是一种将层层堆叠的晶体管连接起来的技术，它将使芯片的功能更加强大，主要运用在各种芯片上，如存储芯片、GPU芯片等等。

    其实从越是基于想提前生产出更加智能轻便的手机而进行这项技术的研发，依据脑海中的信息，从越的研发工作进展顺利，只不过要进行大量的实验。

    从越整天都要花费大量时间在电子显微镜上，这项技术的关键点之一是要在硅片上打孔，这么说吧，一根头发丝大约五十微米，而从越要在硅片上打的孔最小的才几微米，一张八寸的硅片上可能要打几万个孔。没有高倍电子显微镜的帮助，这项工作无法完成。

    从越实验的步骤是先在硅片上把需要刻蚀微孔的位置的硅乀露出来，用各向同?的腐蚀气体在硅片上刻蚀下去一薄层，然后在刻蚀出来的坑的表面沉积保护层，再用等离子打掉坑底的保护层打掉，再用各向同?的腐蚀气体刻蚀一薄层，通过这样多次微小的各向同?腐蚀循环就可以在硅片上实现批量的高深宽比微孔的刻蚀，从越将其称之为打孔。

    另一个关键的技术就是电镀技术，利用铜的优良导电?，将堆叠起来的芯片连接起来。

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